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![小米辟谣澎湃OS是自研系统 称从没这样宣传过]()
小米辟谣澎湃OS是自研系统 称从没这样宣传过 近期，关于小米的澎湃OS系统是否为自研的话题引发了广泛关注。不少网友误以为小米官方宣称澎湃OS为自研系统，但事实并非如此。小米官方已经明确回应，从未在任何场合表示澎湃OS是自研系统。实际上，澎湃OS是由两部分组成的。一部分是基于安卓系统的深度进化，使得澎湃OS能够与安卓系统保持同步，并支持安卓软件。另一部分则是小米自主研发的Vela系统，主要用于实现小米产品之间的互联互通。这种系统架构兼顾了兼容性和自主性，既满足了用户对丰富应用的需求，又能够提供更好的硬件软件一体化体验。在小米14的开机动画中，也明确显示系统仍基于安卓。针对网络上关于澎湃OS是自研的传言，小米官方已经多次进行辟谣，强调从未宣传澎湃OS是自研系统。 -
![小米发布“小感量+磁吸”无线充电预研技术]()
小米发布“小感量+磁吸”无线充电预研技术 2月28日 消息:2月27日，小米发布“小感量+磁吸”无线充电预研技术，包括小米超薄磁吸无线充(30W)和小米主动制冷磁吸无线充(50W)。小米表示，小感量充电方案采用的接收线圈，感值只有传统方案的1/3左右，在同样条件下，损耗可减小至传统线圈的一半以上。小米超薄磁吸无线充小巧身材，搭载17颗环形阵列聚磁芯，支持360°磁吸，自由调整角度，，拥有800g超强劲吸力，可稳定吸附约4部手机重量。功率高达30W，86min了充满5000mAh电池。同时，小米超薄磁吸无线充针对实际充电场景，提供过流保护、过压保护、过温保护、过充保护、过功率保护、欠压保护、短路保护、静电防护、电磁场保护、异物保护等多重安全措施，钢化玻璃面板隔热+铝合金外壳高效导热，配合智能功率调节，可在充电过程中根据手机温度智能调节充电功率，全程充电更冷静。为追求极致的硬核玩家，小米还推出小米主动制冷磁吸无线充，小米主动制冷磁吸无线充同样拥有轻小体积，搭载17颗环形阵列聚磁芯，360°随心调节。小米主动制冷磁吸无线充采用半导体制冷方案，为手机硬核降温，1min内表面温度可降低20℃。同时，小米主动制冷磁吸无线充充电功率进一步提升至50W，实测49min充满5000mAh电池。 -
![小米发布澎湃P1充电芯片]()
小米发布澎湃P1充电芯片 12月24日 消息:小米创始人雷军公布了小米第三款自研芯片——澎湃P1充电芯片。据雷军介绍，澎湃P1充电芯片首次实现行业「120W单电芯」充电技术。轻薄机身内，兼顾120W快充和大电池容量，填补行业空白。澎湃P1充电芯片历经18个月，耗资过亿研发，为更好的续航和充电体验。据了解，澎湃P1充电芯片将在小米12Pro上首发。根据此前消息，小米将在12 月 28 日 19: 30举办发布会，发布小米 12X、小米 12、小米 12 Pro等产品。今年3月，小米发布了首款专业影像芯片——澎湃C1，澎湃C1 有更好的自动对焦，大幅提升暗光、小物体及平坦区域的对焦能力。以下为澎湃P1具体介绍：目前，有线充电速度达到 120W 的智能手机无一例外采用双电芯系统，高速的代价是降低了手机内部空间利用率：原本可以留给电芯的空间，被更复杂的充电电路和双电芯结构所占用，同样体积下，双串电芯的容量要低 4% 左右。不止如此，双串电芯在放电时又需要一颗 2:1 芯片进行降压，它本身的转换效率会导致电量浪费 3%～4%。单电芯充电系统可以规避以上问题，但将充电功率提高到 100W 以上却面临着巨大的挑战。这便是小米澎湃秒充系统要挑战的目标：做到续航和充电性能的最佳平衡，实现单电芯 120W有线秒充。澎湃P1，填补120W单电芯快充行业空白过去的单电芯快充体系中，要把输入手机的 20V 电压转换成可以充入电池的 5V 电压，需要 5 个不同种电荷泵的串并联电路。大量的电荷泵和整体串联的架构会带来很大的发热量，实际使用中完全无法做到长时间满功率运行，更难以做到120W高功率快充，这对于小米来说是不可接受的。要重新设计整个充电架构，需要对其中快充芯片的功能做重新定义。驱动小米 120W 澎湃秒充的核心是两颗小米自研智能充电芯片：澎湃 P1。它们接管了传统的 5 电荷泵复杂结构，将输入手机的高压电能，更高效地转换为可以直充电池的大电流。澎湃P1 作为业界首个谐振充电芯片，拥有自适应开关频率的4: 1 超高效率架构，谐振拓扑效率高达97.5%，非谐振拓扑效率为96.8%，热损耗直线下降 30% 。澎湃 P1 本身承担了大量的转换工作：传统电荷泵只需要两种工作模式（变压、直通），而澎湃 P1 需要支持 1:1、2:1 和 4:1 转换模式，并且所有的模式都需要支持双向导通，这意味着总共需要 15 种排列组合的模式切换控制——是传统电荷泵的 7 倍。正向1: 1 模式让亮屏充电效率更高，正向2: 1 模式可兼容更多充电器，正向4: 1 可支持120W澎湃秒充，反向1:2/1: 4 模式可支持高功率反向充电。充电效率最高、设计难度最大的4: 1 充电芯片同时，澎湃P1 也是小米充电效率最高的4: 1 充电芯片，可做到0.83W/mm²超高功率密度，LDMOS也达到业界领先超低1.18mΩmm² RSP。而澎湃P1 芯片内部需要用到三种不同耐压的 FLY 电容，每颗电容需要独立的开短路保护电路，而每种工作模式又需要严格控制预充电压，功率管数量接近传统电荷泵的两倍。并且因为拓扑设计和功能复杂度的提升，每片澎湃 P1 在出厂时都需要通过 2500 多项测试，远高于传统电荷泵。
